参考まで
部品番号 | SI5905BDC-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI5905BDC-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI5905BDC-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI5905BDC-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 8V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 80mOhm @ 3.3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11nC @ 8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 350pF @ 4V |
パワー - 最大: | 3.1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
IRFH4255DTRPBF | MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN | 865 注文の詳細 |
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IPG20N06S4L14ATMA1 | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 858 注文の詳細 |
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BSD223P L6327 | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | 881 注文の詳細 |
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AO4806L | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC | 846 注文の詳細 |
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IRFI4019HG-117P | MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP | 925 注文の詳細 |
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IRF7752TRPBF | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP | 955 注文の詳細 |
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NTGD3149CT1G | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | 947 注文の詳細 |
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NDS9942 | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC | 829 注文の詳細 |
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AO4812_101 | MOSFET 2N-CH 30V 6A | 809 注文の詳細 |
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FDG6314P | MOSFET 2P-CH 25V SC70-6 | 1000 注文の詳細 |
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ZXMD63N02XTA | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP | 910 注文の詳細 |
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IPG20N06S3L-23 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 | 860 注文の詳細 |
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SI9936BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | 945 注文の詳細 |
在庫あり | 10800 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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