参考まで
部品番号 | AUIRF7309Q |
LIXINC Part # | AUIRF7309Q |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | AUIRF7309Q PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | AUIRF7309Q |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4A, 3A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 50mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 520pF @ 15V |
パワー - 最大: | 1.4W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
FDC6036P | MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT | 946 注文の詳細 |
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AUIRF7103Q | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC | 980 注文の詳細 |
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SI4967DY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | 874 注文の詳細 |
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SIB911DK-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 | 811 注文の詳細 |
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ZXMN6A11DN8TC | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC | 931 注文の詳細 |
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SP8K4FU6TB | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC | 869 注文の詳細 |
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SI4340DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO | 890 注文の詳細 |
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IRFI4020H-117P | MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP | 936 注文の詳細 |
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AO4850 | MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC | 982 注文の詳細 |
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IRF7506TRPBF | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 | 840 注文の詳細 |
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SI4952DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | 873 注文の詳細 |
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SI4818DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | 943 注文の詳細 |
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FDG6301N-F085P | DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM | 825 注文の詳細 |
在庫あり | 10953 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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