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部品番号 | PMGD8000LN,115 |
LIXINC Part # | PMGD8000LN,115 |
メーカー | NXP Semiconductors |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMGD8000LN,115 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PMGD8000LN,115 |
ブランド: | NXP Semiconductors |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | NXP Semiconductors |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 125mA |
(最大) @ id、vgs の rds: | 8Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 0.35nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 18.5pF @ 5V |
パワー - 最大: | 200mW |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSSOP |
AO4613_001 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 982 注文の詳細 |
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IRF7901D1TR | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | 927 注文の詳細 |
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SP8M6FU6TB | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | 826 注文の詳細 |
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IRF8910GPBF | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO | 914 注文の詳細 |
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SP8J5FU6TB | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | 941 注文の詳細 |
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EFC6602R-A-TR | MOSFET 2N-CH EFCP | 848 注文の詳細 |
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BTS7904SAKSA1 | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 | 854 注文の詳細 |
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IRF7350TRPBF | MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC | 845 注文の詳細 |
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IRF5851TRPBF | MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | 916 注文の詳細 |
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AOD607_DELTA | MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L | 961 注文の詳細 |
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AO6800L_003 | MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP | 996 注文の詳細 |
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IRF7389TR | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 882 注文の詳細 |
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SP8J4TB | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | 822 注文の詳細 |
在庫あり | 10861 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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