参考まで
| 部品番号 | BSM600D12P3G001 |
| LIXINC Part # | BSM600D12P3G001 |
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSM600D12P3G001 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSM600D12P3G001 |
| ブランド: | ROHM Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| フェチ機能: | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 600A (Tc) |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 5.6V @ 182mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 31000pF @ 10V |
| パワー - 最大: | 2450W (Tc) |
| 動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Chassis Mount |
| パッケージ・ケース: | Module |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | Module |
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APTC60DDAM45T1G | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | 850 注文の詳細 |
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DMN3035LWN-13 | MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8 | 995 注文の詳細 |
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FW256-TL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 3902 注文の詳細 |
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TM3055-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 112914 注文の詳細 |
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APTC60DDAM24T3G | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | 810 注文の詳細 |
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RFIS70N06SM | 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL, | 1987 注文の詳細 |
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RF1S50N06SM9AS2551 | 50A, 60V, 0.022 OHM, ESD RATED, | 810 注文の詳細 |
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NTMFD2D4N03P8 | MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN | 881 注文の詳細 |
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DMNH6065SPDW-13 | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 | 832 注文の詳細 |
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RF1S42N03L | 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL | 1362 注文の詳細 |
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CAB011M12FM3 | 1200V SIC H-BRIDGE MODULE | 983 注文の詳細 |
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APTM50HM35FG | MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 | 853 注文の詳細 |
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FDPC1012S | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 9621 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10819 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1785.00000 | $1785 |
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