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部品番号 | APTC60DDAM70T1G |
LIXINC Part # | APTC60DDAM70T1G |
メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | APTC60DDAM70T1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | APTC60DDAM70T1G |
ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 39A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 70mOhm @ 39A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.9V @ 2.7mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 259nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7000pF @ 25V |
パワー - 最大: | 250W |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Chassis Mount |
パッケージ・ケース: | SP1 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SP1 |
IRFR91209AR3603 | 5.6A, 100V, 0.6OHM, P-CHANNEL, | 1391 注文の詳細 |
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APTM100A13DG | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | 965 注文の詳細 |
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MSCSM120AM042CD3AG | PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3 | 999 注文の詳細 |
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NTMFD6H846NLT1G | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V, | 15967 注文の詳細 |
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FDBL9406 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4852 注文の詳細 |
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MCH5815-TL-E-ON | P-CHANNEL SILICON MOSFET | 156876 注文の詳細 |
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FS50KM-2-J2#E52 | DISCRETE / POWER MOSFET | 1771 注文の詳細 |
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DMP2101UCB9-7 | MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB | 3801 注文の詳細 |
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IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 851 注文の詳細 |
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SI7946ADP-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8 | 891 注文の詳細 |
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RFD20N03SM9AR4761 | 20A, 30V, 0.025 OHM, N-CHANNEL | 3348 注文の詳細 |
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MCH3360-TL-E-ON | P-CHANNEL SILICON MOSFET | 977 注文の詳細 |
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PMDXB600UNEL,147 | 0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL, | 854 注文の詳細 |
在庫あり | 10970 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $46.10000 | $46.1 |
100 | $35.61840 | $3561.84 |
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