参考まで
| 部品番号 | MRF8P8300HSR6 |
| LIXINC Part # | MRF8P8300HSR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8P8300HSR6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 19 - Sep 23 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8P8300HSR6 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 820MHz |
| 得: | 20.9dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 2 A |
| 電力出力: | 96W |
| 電圧 - 定格: | 70 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230S |
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CGHV40100P | RF MOSFET HEMT 50V 440206 | 1102 注文の詳細 |
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GTVA123501FA-V1 | 350W GAN HEMT, 50V, 1.2-1.4GHZ | 950 注文の詳細 |
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MRF1511NT1 | RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C | 954 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-160VU | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | 812 注文の詳細 |
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BLC2425M10LS250Z | BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP | 1077 注文の詳細 |
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2SK772E | N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET | 38354 注文の詳細 |
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MMBFJ310LT1 | RF N-CHANNEL, JUNCTION FET | 3890 注文の詳細 |
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MRF5S21045NBR1 | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | 912 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-270J | RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B | 920 注文の詳細 |
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2SK3105-T1B-A | SMALL SIGNAL FET | 3911 注文の詳細 |
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NE5550779A-T1-A | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | 11984 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-270GVJ | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | 858 注文の詳細 |
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BLC9G15LS-400AVTZ | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 | 887 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10823 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $357.62020 | $357.6202 |
| 150 | $142.94053 | $21441.0795 |
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