参考まで
| 部品番号 | MRF8S9200NR3 |
| LIXINC Part # | MRF8S9200NR3 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 70V 940MHZ OM780-2 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8S9200NR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8S9200NR3 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 940MHz |
| 得: | 19.9dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 1.4 A |
| 電力出力: | 58W |
| 電圧 - 定格: | 70 V |
| パッケージ・ケース: | OM-780-2 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | OM-780-2 |
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BLC10G18XS-550AVTY | BLC10G18XS-550AVT/SOT1258/REEL | 997 注文の詳細 |
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CGHV40320D-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | 1005 注文の詳細 |
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MRF6P21190HR5 | RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230 | 874 注文の詳細 |
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BLF7G20LS-200,118 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 1015 注文の詳細 |
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BLP05H6350XRGY | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | 902 注文の詳細 |
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MRF8P9040GNR1 | FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 | 945 注文の詳細 |
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PD85035S-E | FET RF 40V 870MHZ | 965 注文の詳細 |
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MRF6S27085HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 884 注文の詳細 |
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PD85025S-E | FET RF 40V 870MHZ | 968 注文の詳細 |
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CGHV14800F | RF MOSFET HEMT 50V 440117 | 967 注文の詳細 |
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BLF7G22LS-250P,118 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B | 940 注文の詳細 |
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BLF8G10LS-160,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F | 876 注文の詳細 |
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BLF7G10LS-250,112 | N-CHANNEL, MOSFET | 861 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10956 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $191.10604 | $191.10604 |
| 250 | $84.02340 | $21005.85 |
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