参考まで
| 部品番号 | MRF8P20100HSR3 |
| LIXINC Part # | MRF8P20100HSR3 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8P20100HSR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8P20100HSR3 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.03GHz |
| 得: | 16dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 400 mA |
| 電力出力: | 20W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S-4 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S-4 |
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WP2806008UH | RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W | 958 注文の詳細 |
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MRF6V2150NBR1 | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | 957 注文の詳細 |
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SD2931-10W | IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174 | 1117 注文の詳細 |
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BLC10G22XS-400AVTZ | BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY | 916 注文の詳細 |
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BLP7G22-10Z | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 1597 注文の詳細 |
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NE3520S03-T1C-A | RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C | 2945 注文の詳細 |
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PD20015C | FET RF 40V 2GHZ M243 | 881 注文の詳細 |
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MRFE6VP6300HR5 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | 1326 注文の詳細 |
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BF1108R,215 | IC RF SWITCH SOT-143R | 800 注文の詳細 |
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AFT09MS015NT1 | RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W | 1821 注文の詳細 |
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BLF574,112 | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | 815 注文の詳細 |
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PTVA120251EA-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | 882 注文の詳細 |
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BLF178XRS,112 | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B | 885 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10981 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $86.57000 | $86.57 |
| 250 | $ 46.86740 | $11716.85 |
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