参考まで
部品番号 | BLF7G22LS-160,112 |
LIXINC Part # | BLF7G22LS-160,112 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
説明 | RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BLF7G22LS-160,112 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BLF7G22LS-160,112 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
トランジスタタイプ: | LDMOS |
周波数: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
得: | 18dB |
電圧 - テスト: | 28 V |
定格電流 (アンペア): | 36A |
雑音指数: | - |
現在 - テスト: | 1.3 A |
電力出力: | 43W |
電圧 - 定格: | 65 V |
パッケージ・ケース: | SOT-502B |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT502B |
MMRF1006HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 907 注文の詳細 |
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BLF7G20LS-200,112 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 854 注文の詳細 |
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BLF6G38-10G,118 | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C | 963 注文の詳細 |
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MMBFJ310LT3G | RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 | 655650816 注文の詳細 |
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HIP5011IB | COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE | 3065 注文の詳細 |
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BF909WR,115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3871 注文の詳細 |
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TA9210D | RF GAN TRANSISTOR 12.5W | 800 注文の詳細 |
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A2I25H060GNR1 | IC TRANS RF LDMOS | 958 注文の詳細 |
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AFG24S100HR5 | IC TRANS RF LDMOS | 953 注文の詳細 |
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BLC10G18XS-360AVTZ | BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD | 1054 注文の詳細 |
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PD20015-E | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | 1518 注文の詳細 |
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BLF647P,112 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | 831 注文の詳細 |
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CGHV59070F | RF MOSFET HEMT 50V 440224 | 1075 注文の詳細 |
在庫あり | 10925 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $86.32000 | $86.32 |
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