参考まで
| 部品番号 | MRF8P29300HR6 |
| LIXINC Part # | MRF8P29300HR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8P29300HR6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8P29300HR6 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.9GHz |
| 得: | 13.3dB |
| 電圧 - テスト: | 30 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 320W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230 |
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BLC8G24LS-241AVY | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | 866 注文の詳細 |
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MRF6VP3450HR6 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | 987 注文の詳細 |
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MRF6V2150NR1 | RF MOSFET LDMOS 50V TO270 | 1219 注文の詳細 |
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BLF184XRSU | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B | 976 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-270V,112 | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B | 932 注文の詳細 |
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2N5246 | SMALL SIGNAL FET | 37256 注文の詳細 |
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CGH40006S | RF MOSFET HEMT 28V 6QFN | 3607 注文の詳細 |
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BLP25M710Z | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 982 注文の詳細 |
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NE3515S02-T1C-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 846 注文の詳細 |
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BLF2324M8LS200PU | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | 888 注文の詳細 |
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ARF460AG | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | 1140 注文の詳細 |
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BLA6G1011L-200RG,1 | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | 990 注文の詳細 |
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BLF882U | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A | 961 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10858 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $819.85860 | $819.8586 |
| 150 | $360.46673 | $54070.0095 |
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