参考まで
| 部品番号 | MRF6V12250HSR5 |
| LIXINC Part # | MRF6V12250HSR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF6V12250HSR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 11 - Sep 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF6V12250HSR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 1.03GHz |
| 得: | 20.3dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 275W |
| 電圧 - 定格: | 100 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S |
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BLS7G2729L-350P,11 | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A | 840 注文の詳細 |
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BLF174XRS,112 | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B | 993 注文の詳細 |
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MRF6S9160HR3 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | 921 注文の詳細 |
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BLA9G1011LS-300GU | RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E | 968 注文の詳細 |
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MCH6619-TL-E | PCH+PCH 4V DRIVE SERIES | 303995 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-160VJ | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | 853 注文の詳細 |
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PD55003S-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | 866 注文の詳細 |
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HIP5010IS | COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE | 2552 注文の詳細 |
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SAV-541+ | SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60 | 944 注文の詳細 |
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MRF166W | FET RF 2CH 65V 500MHZ 412-01 | 963 注文の詳細 |
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BLC10G18XS-551AVTZ | BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP | 1006 注文の詳細 |
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BLM9D2327-25BZ | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | 1378 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-240J | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | 903 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10800 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $471.42700 | $471.427 |
| 50 | $239.99920 | $11999.96 |
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