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| 部品番号 | AFV121KGSR5 |
| LIXINC Part # | AFV121KGSR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | IC TRANS RF LDMOS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFV121KGSR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFV121KGSR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 960MHz ~ 1.22GHz |
| 得: | 19.6dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 1000W |
| 電圧 - 定格: | 112 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4S GW |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4S GULL |
 |
AFT23S170-13SR3 | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | 1451 注文の詳細 |
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MCH6608-TL-E | NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | 13937 注文の詳細 |
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BLF8G09LS-270WU | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 990 注文の詳細 |
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VRF141 | MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174 | 991 注文の詳細 |
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MRFG35005NR5 | FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 | 968 注文の詳細 |
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MRFX600HR5 | TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V | 930 注文の詳細 |
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BLS9G2934L-400U | RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A | 953 注文の詳細 |
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NPT1004D | HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC | 99422 注文の詳細 |
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BLC9H10XS-60PZ | BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP | 998 注文の詳細 |
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MRF7S27130HSR3 | RF S BAND, N-CHANNEL | 1042 注文の詳細 |
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PTFA180701E-V4-R250 | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 | 805 注文の詳細 |
 |
SAV-551+ | SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60 | 917 注文の詳細 |
 |
2SK3072-TB-E | NCH 4V DRIVE SERIES | 79985 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10924 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1084.65500 | $1084.655 |
| 50 | $524.57860 | $26228.93 |
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