参考まで
| 部品番号 | AFT23H200-4S2LR6 |
| LIXINC Part # | AFT23H200-4S2LR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFT23H200-4S2LR6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFT23H200-4S2LR6 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.3GHz |
| 得: | 15.3dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 500 mA |
| 電力出力: | 45W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4LS2L |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4LS2L |
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PD55008TR-E | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 1048 注文の詳細 |
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BLL6H1214P2S-250Z | RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE | 815 注文の詳細 |
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CLF1G0060S-30U | RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B | 928 注文の詳細 |
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CGHV14500F | RF MOSFET HEMT 50V 440117 | 876 注文の詳細 |
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BLF10H6600PU | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | 831 注文の詳細 |
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MCH6422-TL-E | NCH 2.5V DRIVE SERIES | 66800 注文の詳細 |
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MMBF5486 | JFET N-CH 25V 20MA SOT23 | 854 注文の詳細 |
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MRF7S19100NBR1 | RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 | 865 注文の詳細 |
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BF2040E6814HTSA1 | BF2040 - RF SMALL SIGNAL, ULTRA | 31794 注文の詳細 |
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BLF10H6600PSU | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | 949 注文の詳細 |
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NPT35015D | HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ | 1231 注文の詳細 |
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BLF189XRBU | RF MOSFET SOT539 TRAY | 1013 注文の詳細 |
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TA9110K | 6W CW, 30 - 4000MHZ GAN POWER TR | 920 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10945 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $221.68907 | $221.68907 |
| 150 | $97.46987 | $14620.4805 |
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