参考まで
| 部品番号 | A2G35S200-01SR3 |
| LIXINC Part # | A2G35S200-01SR3 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | A2G35S200-01SR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | A2G35S200-01SR3 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | GaN HEMT |
| 周波数: | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 得: | 16.1dB |
| 電圧 - テスト: | 48 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 291 mA |
| 電力出力: | 180W |
| 電圧 - 定格: | 125 V |
| パッケージ・ケース: | NI-400S-2S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-400S-2S |
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PTVA035002EV-V1-R250 | RF LDMOS FET 500W, 390 - 450MHZ | 920 注文の詳細 |
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BLC10M6XS200Y | BLC10M6XS200/SOT1270/REELDP | 823 注文の詳細 |
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CGH60008D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | 1178 注文の詳細 |
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BLF183XRU | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A | 1096 注文の詳細 |
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PD55035STR-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | 883 注文の詳細 |
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BLS7G3135LS-200U | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B | 935 注文の詳細 |
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BLC10G22LS-240PVTZ | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3 | 878 注文の詳細 |
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BLF7G20LS-90P,112 | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B | 919 注文の詳細 |
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BLP8G21S-160PVY | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | 1006 注文の詳細 |
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BLC9G20LS-120VTY | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2 | 970 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-220U | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | 816 注文の詳細 |
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CGHV27060MP | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP | 985 注文の詳細 |
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MMRF5017HSR5 | RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S | 951 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11042 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $264.51000 | $264.51 |
| 250 | $123.43584 | $30858.96 |
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