参考まで
| 部品番号 | A2I25H060NR1 |
| LIXINC Part # | A2I25H060NR1 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | IC RF LDMOS AMP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | A2I25H060NR1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | A2I25H060NR1 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.59GHz |
| 得: | 26.1dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 26 mA |
| 電力出力: | 10.5W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-270WB-17 |
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IGN1011L70 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND | 972 注文の詳細 |
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BLF8G24LS-100GVJ | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | 869 注文の詳細 |
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MRF101AN | RF TRANSISTOR 100W TO-220 | 1016 注文の詳細 |
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MRF8P23080HSR5 | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 | 886 注文の詳細 |
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MRFE6S9045NR1 | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | 1629 注文の詳細 |
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CGHV96130F | 100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM | 824 注文の詳細 |
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BLF7G27LS-100,118 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 800 注文の詳細 |
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CLF1G0035-100PU | RF MOSFET HEMT 50V LDMOST | 828 注文の詳細 |
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BLA9H0912L-250GU | BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY | 976 注文の詳細 |
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MMBF5484 | RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3 | 979 注文の詳細 |
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STAC3932B | TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B | 972 注文の詳細 |
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BLP05H635XRGY | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | 1001 注文の詳細 |
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MCH3414-EBM-TL-E | NCH 4V DRIVE SERIES | 99851 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10994 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $48.38624 | $48.38624 |
| 500 | $48.38624 | $24193.12 |
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