参考まで
| 部品番号 | MMRF1312HSR5 |
| LIXINC Part # | MMRF1312HSR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MMRF1312HSR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 23 - Oct 27 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MMRF1312HSR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 1.034GHz |
| 得: | 19.6dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 100 mA |
| 電力出力: | 1000W |
| 電圧 - 定格: | 112 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4S |
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30C01M-TL-E | BIP NPN 0.4A 30V | 183999 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-220U | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | 828 注文の詳細 |
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MRF6S19200HR5 | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | 928 注文の詳細 |
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MRFE6VP5600HSR5 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | 906 注文の詳細 |
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BLP2425M10S250PY | BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP | 998 注文の詳細 |
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BLF882SU | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B | 879 注文の詳細 |
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BLS8G2731L-400PU | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A | 957 注文の詳細 |
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PTVA104501EH-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-33288-2 | 938 注文の詳細 |
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MRF5S19130HR3 | RF L BAND, N-CHANNEL | 897 注文の詳細 |
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MHT1108NT1 | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | 906 注文の詳細 |
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BLF6G15L-250PBRN,1 | RF PFET, 3-ELEMENT, L BAND, SILI | 954 注文の詳細 |
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CLF1G0035-100,112 | RF MOSFET HEMT 50V SOT467C | 1009 注文の詳細 |
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BLU6H0410L-600P,11 | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A | 810 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10988 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1182.58000 | $1182.58 |
| 50 | $551.87020 | $27593.51 |
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