参考まで
| 部品番号 | MRF8S23120HSR3 |
| LIXINC Part # | MRF8S23120HSR3 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8S23120HSR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 29 - Nov 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8S23120HSR3 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2.3GHz |
| 得: | 16dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 800 mA |
| 電力出力: | 28W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S |
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PTFA181001FV4R250FTMA1 | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | 904 注文の詳細 |
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MRF6P18190HR5 | FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 | 962 注文の詳細 |
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BF256C | JFET N-CH 30V 18MA TO92 | 859 注文の詳細 |
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J309_D27Z | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | 860 注文の詳細 |
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BLF6G20LS-180RN,11 | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | 943 注文の詳細 |
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PTFA190451EV4XWSA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | 809 注文の詳細 |
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BLF9G24LS-230VJ | TRANS RF 230W ACC-6 | 887 注文の詳細 |
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MRF6S19100HSR3 | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | 904 注文の詳細 |
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PTVA120501EAV1XWSA1 | IC AMP RF LDMOS | 802 注文の詳細 |
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BLA1011-300,112 | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A | 857 注文の詳細 |
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BF245B_D75Z | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | 817 注文の詳細 |
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MAGX-000912-650L00 | TRANSISTOR GAN 960-1215MHZ 650W | 846 注文の詳細 |
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BF1211,215 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | 992 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10928 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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