参考まで
部品番号 | MRF8VP13350GNR3 |
LIXINC Part # | MRF8VP13350GNR3 |
メーカー | NXP Semiconductors |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
説明 | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MRF8VP13350GNR3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MRF8VP13350GNR3 |
ブランド: | NXP Semiconductors |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
メーカー: | NXP Semiconductors |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
周波数: | 1.3GHz |
得: | 19.2dB |
電圧 - テスト: | 50 V |
定格電流 (アンペア): | - |
雑音指数: | - |
現在 - テスト: | 100 mA |
電力出力: | 350W |
電圧 - 定格: | 100 V |
パッケージ・ケース: | OM-780G-4L |
サプライヤー デバイス パッケージ: | OM-780G-4L |
CGHV59070P | 70W, GAN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHZ, | 812 注文の詳細 |
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2SK1645V-03-TR-E | GAAS MESFET 0.1A 6V | 3997 注文の詳細 |
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IRFAF40 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1799 注文の詳細 |
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BLC9G24XS-170AVY | RF MOSFET LDMOS 30V SOT1275-3 | 887 注文の詳細 |
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CPH3426-TL-E | NCH 4V DRIVE SERIES | 6830 注文の詳細 |
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PTVA101K02EV-V1-R250 | RF DEVELOPMENT TOOLS | 873 注文の詳細 |
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VRF161MP | FET RF NCH 170V 30MHZ M174 | 996 注文の詳細 |
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STAC1011-350F | PTD WBG & POWER RF | 940 注文の詳細 |
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MCH6615-TL-E | PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | 6953 注文の詳細 |
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CPH5820-TL-E | PCH+SBD 4V DRIVE SERIES | 3810 注文の詳細 |
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IGT2731M130 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND | 910 注文の詳細 |
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BLC9G22XS-120AGWTZ | BLC9G22XS-120AGWT/SOT1278/TRAYDP | 894 注文の詳細 |
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2SJ195-TL-E | PCH 4V DRIVE SERIES | 2960 注文の詳細 |
在庫あり | 10975 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $284.41048 | $284.41048 |
250 | $137.55128 | $34387.82 |
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