参考まで
| 部品番号 | PXFC192207SHV1R250XTMA1 |
| LIXINC Part # | PXFC192207SHV1R250XTMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | IC AMP RF LDMOS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PXFC192207SHV1R250XTMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
|
| 運送 |  |
| 部品番号: | PXFC192207SHV1R250XTMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | - |
| 周波数: | - |
| 得: | - |
| 電圧 - テスト: | - |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | - |
| 電力出力: | - |
| 電圧 - 定格: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
|
IRFAE30 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 959 注文の詳細 |
|
GTVA261701FA-V1-R2 | GAN SIC | 874 注文の詳細 |
|
SD56060 | RF POWER TRANSISTOR, THE LDMOSST | 835 注文の詳細 |
|
GTVA262711FA-V2-R2 | GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ | 947 注文の詳細 |
|
2SK853A(1)-T1-A | SMALL SIGNAL FET | 9854 注文の詳細 |
|
MRF7S38040HSR3 | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S | 900 注文の詳細 |
|
AFT26H050W26SR3 | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 | 993 注文の詳細 |
|
PTFA091503ELV4R0XTMA1 | RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 | 947 注文の詳細 |
|
MRF5S19090HSR5 | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | 906 注文の詳細 |
|
PTFB211803FLV2R0XTMA1 | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | 976 注文の詳細 |
|
PTFB093608FVV2R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | 827 注文の詳細 |
|
PTFB192503FL-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | 991 注文の詳細 |
|
MAGX-000245-025000 | TRANSISTOR RF 25W GAN | 937 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10913 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $125.64824 | $125.64824 |
| 250 | $114.22566 | $28556.415 |
Lixinc は最も競争力のある価格を提供します。見積もりを参照してください。
