参考まで
部品番号 | IPW60R017C7XKSA1 |
LIXINC Part # | IPW60R017C7XKSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HIGH POWER_NEW |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPW60R017C7XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPW60R017C7XKSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
FDP040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 1636 注文の詳細 |
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PSMN5R0-40MLHX | MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 | 2477 注文の詳細 |
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AUIRF2903Z | MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB | 2965 注文の詳細 |
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SIA477EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 | 2605 注文の詳細 |
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APT6010JLL | MOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP | 875 注文の詳細 |
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PMV170UN,215 | MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB | 36992 注文の詳細 |
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NTTFS4929NTAG | MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN | 138948 注文の詳細 |
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2SK3484-AZ | MOSFET N-CH 100V 16A TO251 | 897 注文の詳細 |
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STF140N6F7 | MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP | 1796 注文の詳細 |
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APT5017SVRG | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | 927 注文の詳細 |
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AON6588 | MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN | 980 注文の詳細 |
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AOD482 | MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252 | 975 注文の詳細 |
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RM16P60LD | MOSFET P-CHANNEL 60V 16A TO252-2 | 884 注文の詳細 |
在庫あり | 11105 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $23.56000 | $23.56 |
240 | $18.40427 | $4417.0248 |
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