参考まで
部品番号 | FDD6606 |
LIXINC Part # | FDD6606 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDD6606 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDD6606 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 31 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.4 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 71W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-PAK (TO-252) |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ZVP3306FTA | MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 | 40551 注文の詳細 |
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NTD4963N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK | 18263 注文の詳細 |
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SI7820DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 | 1571 注文の詳細 |
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XPH3R114MC,L1XHQ | MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP | 4271 注文の詳細 |
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AOT8N65 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | 837 注文の詳細 |
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AONS66402 | MOSFET N-CH 40V 49A/85A | 941 注文の詳細 |
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MCU05N60A-TP | MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK | 2815 注文の詳細 |
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2SK2736-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4039 注文の詳細 |
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IRLIZ34NPBF | MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP | 2088 注文の詳細 |
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NVTFS5C478NLWFTAG | MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN | 2260 注文の詳細 |
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SI7892BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 | 3741 注文の詳細 |
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PSMN2R4-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 916 注文の詳細 |
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SK830321KL | MOSFET N-CH 30V 7A/18A 8HSSO | 5867 注文の詳細 |
在庫あり | 215483 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.72000 | $0.72 |
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