参考まで
部品番号 | SI3443BDV-T1-BE3 |
LIXINC Part # | SI3443BDV-T1-BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI3443BDV-T1-BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SI3443BDV-T1-BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.6A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 9 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.1W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
3LP01M-TL-E | MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP | 163971 注文の詳細 |
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SPB42N03S2L-13 | MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 | 1164 注文の詳細 |
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IRFBC30ASTRLPBF | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | 1785 注文の詳細 |
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SIHH24N65EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 | 989 注文の詳細 |
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PMPB13XNE,115 | MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 | 271594 注文の詳細 |
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NTLJS3A18PZTWG | MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | 6989 注文の詳細 |
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FQU13N06LTU-WS | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 36255 注文の詳細 |
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AUIRF540ZSTRL | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 1433 注文の詳細 |
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IRFB7437PBF | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB | 849 注文の詳細 |
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SI4490DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO | 2955 注文の詳細 |
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TK7R4A10PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 1112 注文の詳細 |
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IRFF211 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1860 注文の詳細 |
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FDD9411L-F085 | MOSFET N-CH 40V 25A TO252 | 1497 注文の詳細 |
在庫あり | 13912 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.70000 | $0.7 |
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