参考まで
部品番号 | NTD5862N-1G |
LIXINC Part # | NTD5862N-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD5862N-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD5862N-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 98A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.7mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 82 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 115W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
STF7NM60N | MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP | 1805 注文の詳細 |
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AOD450 | MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252 | 860 注文の詳細 |
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FQU9N25TU | MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK | 496611074 注文の詳細 |
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SI2316BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 | 5525 注文の詳細 |
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APT1001RBVFRG | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247 | 817 注文の詳細 |
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STL30P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT | 7579 注文の詳細 |
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BSZ050N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | 5960 注文の詳細 |
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DMN4036LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3 | 2184 注文の詳細 |
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FDD8444 | MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA | 5658 注文の詳細 |
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IXFN26N100P | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | 2053 注文の詳細 |
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STB45NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK | 1425 注文の詳細 |
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IRFSL7730PBF | MOSFET N-CH 75V 195A TO262 | 3840 注文の詳細 |
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DMN2029UVT-13 | MOSFET N-CH 6.8A TSOT26 | 932 注文の詳細 |
在庫あり | 10875 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.73000 | $0.73 |
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