参考まで
部品番号 | FDU6N50TU |
LIXINC Part # | FDU6N50TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDU6N50TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDU6N50TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | UniFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 500 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 900mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16.6 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 940 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 89W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IPD50N06S2L13ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 | 3268 注文の詳細 |
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SIRA62DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK | 3317 注文の詳細 |
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STP100N8F6 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | 944 注文の詳細 |
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IRFBG20PBF | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 873 注文の詳細 |
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RSF015N06TL | MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 | 2407 注文の詳細 |
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IRFS4229TRLPBF | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 840 注文の詳細 |
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NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | 59645 注文の詳細 |
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IPT65R195G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF | 2667 注文の詳細 |
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GKI03080 | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN | 891 注文の詳細 |
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FDMT80060DC | MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL | 918 注文の詳細 |
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IRFU120PBF | MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA | 2315 注文の詳細 |
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DMN2009LSS-13 | MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP | 808 注文の詳細 |
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SPS02N60C3BKMA1 | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-31 | 41374 注文の詳細 |
在庫あり | 10509 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
5040 | $0.41000 | $2066.4 |
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