参考まで
部品番号 | CSD19533Q5A |
LIXINC Part # | CSD19533Q5A |
メーカー | Texas Instruments |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | CSD19533Q5A PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | CSD19533Q5A |
ブランド: | Texas Instruments |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Texas Instruments |
シリーズ: | NexFET™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9.4mOhm @ 13A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2670 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.2W (Ta), 96W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-VSONP (5x6) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
FDPF035N06B_F152 | MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3 | 934 注文の詳細 |
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IXTT16N50D2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO268 | 3680 注文の詳細 |
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IRF6215STRRPBF | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK | 996 注文の詳細 |
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IRFZ46NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK | 1232 注文の詳細 |
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SIHP4N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB | 1978 注文の詳細 |
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IXTA1R4N100PTRL | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263 | 878 注文の詳細 |
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AOWF12N60 | MOSFET N-CH 600V 12A TO262F | 852 注文の詳細 |
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IXTA4N65X2 | MOSFET N-CH 650V 4A TO263 | 4519 注文の詳細 |
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RM42P30DN | MOSFET P-CHANNEL 30V 42A 8DFN | 817 注文の詳細 |
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FDB8442 | MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB | 11772 注文の詳細 |
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IXFB82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 | 2793 注文の詳細 |
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STB7NK80ZT4 | MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK | 5597 注文の詳細 |
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IPP80N06S2L-05 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 838 注文の詳細 |
在庫あり | 10908 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.66000 | $1.66 |
2500 | $0.63184 | $1579.6 |
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