参考まで
部品番号 | STP11N65M2 |
LIXINC Part # | STP11N65M2 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STP11N65M2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STP11N65M2 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ II Plus |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 410 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 85W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IPP65R310CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 | 903 注文の詳細 |
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IXFT220N20X3HV | MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV | 1348 注文の詳細 |
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IPA65R600C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1860 注文の詳細 |
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FDMA6676PZ | MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET | 933 注文の詳細 |
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IRF644 | 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL | 25633 注文の詳細 |
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NTD4960N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK | 922 注文の詳細 |
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SQD40P10-40L_GE3 | MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA | 828 注文の詳細 |
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BSC090N03MSG | BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | 61153 注文の詳細 |
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NVTFS5C454NLWFTAG | MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN | 23899 注文の詳細 |
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FDMS0300S | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 6286 注文の詳細 |
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PMZ250UN,315 | MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3 | 91253 注文の詳細 |
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NP88N055MLE-S18-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2187 注文の詳細 |
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IRFH7194TRPBF | HEXFET POWER MOSFET | 2796 注文の詳細 |
在庫あり | 10853 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.82425 | $0.82425 |
1000 | $0.43098 | $430.98 |
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