参考まで
部品番号 | PMT200EPEAX |
LIXINC Part # | PMT200EPEAX |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMT200EPEAX PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PMT200EPEAX |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 70 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.4A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 167mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15.9 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 822 pF @ 35 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 800mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-223 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
SQ3419EV-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP | 30759 注文の詳細 |
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BUK7M45-40EX | MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33 | 853 注文の詳細 |
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AOL1454 | MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8 | 858 注文の詳細 |
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STP33N65M2 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220 | 1472 注文の詳細 |
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IPN70R2K0P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 | 985 注文の詳細 |
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RFD4N06LSM9A | MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA | 68099 注文の詳細 |
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FCP190N65S3R0 | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | 1000 注文の詳細 |
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PH2925U,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 1184 注文の詳細 |
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NVGS3130NT1G | MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP | 951 注文の詳細 |
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NVMFS6H800NT1G | MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN | 872 注文の詳細 |
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IRFS4228PBF | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | 955 注文の詳細 |
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SIA810DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 | 964 注文の詳細 |
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RQ3E100ATTB | MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT | 2595 注文の詳細 |
在庫あり | 176963 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.14000 | $0.14 |
1000 | $0.14000 | $140 |
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