参考まで
部品番号 | ES6U42T2R |
LIXINC Part # | ES6U42T2R |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ES6U42T2R PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | ES6U42T2R |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Last Time Buy |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 2.1 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 150 pF @ 10 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Body) |
消費電力 (最大): | 700mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WEMT |
パッケージ・ケース: | SOT-563, SOT-666 |
BSC018N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | 5093 注文の詳細 |
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EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | 1341 注文の詳細 |
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IRF540ZLPBF | MOSFET N-CH 100V 36A TO262 | 2065 注文の詳細 |
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AUIRF6218STRL | AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL | 983 注文の詳細 |
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SI4435DDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO | 14057 注文の詳細 |
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SQS484EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 9575 注文の詳細 |
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CSD17305Q5A | MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON | 2270 注文の詳細 |
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SPA06N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP | 800 注文の詳細 |
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IXTP50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB | 268369 注文の詳細 |
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SIHP14N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | 1828 注文の詳細 |
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DMTH3004LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333 | 814 注文の詳細 |
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NDDL01N60ZT4G | MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK | 23360 注文の詳細 |
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IRF9Z20 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB | 962 注文の詳細 |
在庫あり | 10801 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.21211 | $0.21211 |
8000 | $0.20725 | $1658 |
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