参考まで
部品番号 | STD12N60DM6 |
LIXINC Part # | STD12N60DM6 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STD12N60DM6 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | STD12N60DM6 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 390mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.75V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 508 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 90W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
DMN3115UDM-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 | 7289961 注文の詳細 |
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SIHW33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD | 1209 注文の詳細 |
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IXTP20N65X2 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB | 63067 注文の詳細 |
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AUIRF4104STRL | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 1871 注文の詳細 |
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2N6760 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 996 注文の詳細 |
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IXTK8N150L | MOSFET N-CH 1500V 8A TO264 | 973 注文の詳細 |
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NVMFS6H824NT1G | MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN | 842 注文の詳細 |
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BUK7Y14-80EX | MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56 | 1049 注文の詳細 |
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TN5325N3-G-P002 | MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 | 856 注文の詳細 |
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IXFN62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B | 915 注文の詳細 |
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FDS4410A | SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P | 1776 注文の詳細 |
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SIS110DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK | 4058 注文の詳細 |
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NTMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC | 3277 注文の詳細 |
在庫あり | 11014 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.78000 | $1.78 |
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