参考まで
部品番号 | RM120N30T2 |
LIXINC Part # | RM120N30T2 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM120N30T2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM120N30T2 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3550 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 120W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
AOWF190A60C | MOSFET N-CH 600V 20A TO262F | 1944 注文の詳細 |
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FDBL0150N60 | MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF | 806 注文の詳細 |
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IPW60R060P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 | 1653 注文の詳細 |
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BSC0908NS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 42265 注文の詳細 |
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IRFR1N60ATRPBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | 1196 注文の詳細 |
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BUK7240-100A,118 | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | 829 注文の詳細 |
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NVMFS5C680NLWFT1G | MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN | 10905 注文の詳細 |
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MCH3477-TL-W | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70 | 74782 注文の詳細 |
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APL602LG | MOSFET N-CH 600V 49A TO264 | 807 注文の詳細 |
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IXFB52N90P | MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264 | 1388 注文の詳細 |
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SQS401EN-T1_BE3 | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 9880 注文の詳細 |
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IPW90R1K0C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 811 注文の詳細 |
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NTTFS6H850NLTAG | MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN | 97114355 注文の詳細 |
在庫あり | 10878 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
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