参考まで
部品番号 | IRF630NSPBF |
LIXINC Part # | IRF630NSPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF630NSPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF630NSPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 575 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 82W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
DMT4008LSS-13 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO | 985 注文の詳細 |
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STH6N95K5-2 | MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2 | 1151 注文の詳細 |
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NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN | 14498 注文の詳細 |
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5HP01M-TL-H | MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP | 336857 注文の詳細 |
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HUF76645S3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1704 注文の詳細 |
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IPP80R900P7 | IPP80R900 - 800V COOLMOS N-CHANN | 977 注文の詳細 |
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2N7002NXAKR | MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB | 33588 注文の詳細 |
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SI7113ADN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK | 11199 注文の詳細 |
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SSM3J332R,LF | MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F | 95403 注文の詳細 |
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SPB12N50C3ATMA1 | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3 | 19567 注文の詳細 |
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2SK2378 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6460 注文の詳細 |
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BSS64E6327 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 114835 注文の詳細 |
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2SK4096LS | MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220FI | 43168 注文の詳細 |
在庫あり | 10828 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.72000 | $0.72 |
850 | $0.72000 | $612 |
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