参考まで
部品番号 | RQ1E050RPTR |
LIXINC Part # | RQ1E050RPTR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ1E050RPTR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 11 - Oct 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RQ1E050RPTR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 31mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1300 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 700mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT8 |
パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
SCTH90N65G2V-7 | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 | 1844 注文の詳細 |
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NVMFS6H800NLT1G | MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN | 962 注文の詳細 |
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SIR622DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK | 5918 注文の詳細 |
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IRFL4105PBF | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 | 863 注文の詳細 |
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SIHA22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 1857 注文の詳細 |
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PSMN0R9-30ULDX | MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 | 833 注文の詳細 |
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FDD120AN15A0-F085 | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | 11938341 注文の詳細 |
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STH2N120K5-2AG | MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2 | 831 注文の詳細 |
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IXTY2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | 2050 注文の詳細 |
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STU16N60M2 | MOSFET N-CH 600V 12A IPAK | 869 注文の詳細 |
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IPA90R500C3XKSA2 | MOSFET N-CH 900V 11A TO220 | 968 注文の詳細 |
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IXFL210N30P3 | MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264 | 1431 注文の詳細 |
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PMN20EN,115 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 20906 注文の詳細 |
在庫あり | 13641 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.90000 | $0.9 |
3000 | $0.90000 | $2700 |
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