参考まで
| 部品番号 | IRFW730BTM |
| LIXINC Part # | IRFW730BTM |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFW730BTM PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFW730BTM |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXTQ36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO3P | 1326 注文の詳細 |
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SI4447ADY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO | 7818 注文の詳細 |
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PSMN9R5-100PS,127 | MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB | 2103 注文の詳細 |
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IXTA4N150HV-TRL | MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV | 1618 注文の詳細 |
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MTM761230LBF | MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6 | 1659 注文の詳細 |
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DMN61D9UWQ-13 | MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 | 918 注文の詳細 |
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SIDR626LDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK | 6964 注文の詳細 |
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SI7619DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8 | 121131 注文の詳細 |
 |
FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC | 1850 注文の詳細 |
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TSM70N900CI C0G | MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB | 1775 注文の詳細 |
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IRFF9222 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2972 注文の詳細 |
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IXTA16N50P-TRL | MOSFET N-CH 500V 16A TO263 | 854 注文の詳細 |
 |
IPB100N04S4H2ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 4345 注文の詳細 |
| 在庫あり | 13775 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.59000 | $0.59 |
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