参考まで
部品番号 | RQ3G150GNTB |
LIXINC Part # | RQ3G150GNTB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ3G150GNTB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RQ3G150GNTB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 39A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11.6 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1450 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 20W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-HSMT (3.2x3) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
IXFK100N65X2 | MOSFET N-CH 650V 100A TO264 | 928 注文の詳細 |
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AUIRFN8403TR | MOSFET N-CH 40V 95A TDSON-8-10 | 5956 注文の詳細 |
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2SK1283-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2261 注文の詳細 |
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TPIC5423LDW | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6011 注文の詳細 |
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IRFR3710ZTRPBF | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 1059 注文の詳細 |
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FDP8447L | MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3 | 5423339 注文の詳細 |
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IXFX26N100P | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3 | 805 注文の詳細 |
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TPIC1533DWR | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 5842 注文の詳細 |
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SUP53P06-20-E3 | MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB | 842 注文の詳細 |
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BUK7E11-55B,127 | MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK | 1848 注文の詳細 |
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DMP213DUFA-7B | MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN | 865 注文の詳細 |
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AOT27S60L | MOSFET N-CH 600V 27A TO220 | 3784 注文の詳細 |
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UF3C170400K3S | SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 | 5762 注文の詳細 |
在庫あり | 12343 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.17000 | $1.17 |
3000 | $0.46850 | $1405.5 |
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