参考まで
部品番号 | SIRA22DP-T1-RE3 |
LIXINC Part # | SIRA22DP-T1-RE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIRA22DP-T1-RE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SIRA22DP-T1-RE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® Gen IV |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 60A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 0.76mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 155 nC @ 10 V |
vgs (最大): | +16V, -12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7570 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 83.3W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 |
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DMT6009LFG-13 | MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 | 842 注文の詳細 |
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FDP8876 | MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 | 935 注文の詳細 |
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DMT6017LFDF-13 | MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN | 987 注文の詳細 |
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RJK03M1DPA-00#J5A | MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK | 3902 注文の詳細 |
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IPA60R360CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 5A TO220 | 971 注文の詳細 |
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IRFR420TRLPBF | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | 1291 注文の詳細 |
在庫あり | 10854 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.61204 | $0.61204 |
3000 | $0.61204 | $1836.12 |
6000 | $0.58330 | $3499.8 |
15000 | $0.56277 | $8441.55 |
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