AIMW120R045M1XKSA1

AIMW120R045M1XKSA1
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部品番号 AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part # AIMW120R045M1XKSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル AIMW120R045M1XKSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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AIMW120R045M1XKSA1 仕様

部品番号:AIMW120R045M1XKSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:52A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):-
(最大) @ id、vgs の rds:59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (最大) @ ID:5.7V @ 10mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:57 nC @ 15 V
vgs (最大):+20V, -7V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2130 pF @ 800 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):228W (Tc)
動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO247-3
パッケージ・ケース:TO-247-3

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