参考まで
部品番号 | NTD110N02R-001G |
LIXINC Part # | NTD110N02R-001G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD110N02R-001G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD110N02R-001G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 24 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.44 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
FQP7P20 | MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3 | 2321 注文の詳細 |
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SQ3427EV-T1_BE3 | MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP | 3795 注文の詳細 |
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IXTP450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB | 887 注文の詳細 |
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STP20NF06L | MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB | 2798 注文の詳細 |
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TK1K9A60F,S4X | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS | 1171 注文の詳細 |
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SIHG40N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | 894 注文の詳細 |
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ZXMN10B08E6TA | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | 18948 注文の詳細 |
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IRL80HS120 | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN | 4336 注文の詳細 |
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SCTW35N65G2V | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 | 1299 注文の詳細 |
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IPI50R350CPXKSA1 | LOW POWER_LEGACY | 992 注文の詳細 |
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FDU8876 | MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK | 3577 注文の詳細 |
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SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | 3776 注文の詳細 |
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FQPF5N50CYDTU | MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3 | 7384910 注文の詳細 |
在庫あり | 18738 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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