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| 部品番号 | BSD816SNL6327 |
| LIXINC Part # | BSD816SNL6327 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSD816SNL6327 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSD816SNL6327 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IPAN65R650CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 | 867 注文の詳細 |
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2SK3801 | MOSFET N-CH 40V 70A TO3P | 801 注文の詳細 |
 |
AOTF22N50L | MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3F | 829 注文の詳細 |
 |
SQ2361AEES-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 | 948 注文の詳細 |
 |
RV2C002UNT2L | MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 | 934 注文の詳細 |
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NTD3813N-1G | MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK | 12026 注文の詳細 |
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NVMYS3D5N04CTWG | MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4 | 803 注文の詳細 |
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DN3545N3-G | MOSFET N-CH 450V 136MA TO92 | 3886 注文の詳細 |
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RD3L080SNTL1 | MOSFET N-CH 60V 8A TO252 | 3371 注文の詳細 |
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BSZ0902NSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON | 12309 注文の詳細 |
 |
NTE2398 | MOSFET N-CHANNEL 500V 4.5A TO220 | 1143 注文の詳細 |
 |
IRFS730B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24302 注文の詳細 |
 |
IRFR9214PBF | MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK | 6505 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14687 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.04000 | $0.04 |
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