参考まで
部品番号 | NTD12N10-1G |
LIXINC Part # | NTD12N10-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD12N10-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD12N10-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 165mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 550 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
FDB2532 | MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK | 890 注文の詳細 |
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IXFK26N120P | MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA | 939 注文の詳細 |
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IPP80N03S4L04AKSA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 883 注文の詳細 |
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DMT15H053SSS-13 | MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO | 10987 注文の詳細 |
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SIHB22N60ET1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | 1639 注文の詳細 |
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IRFR220PBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | 2522 注文の詳細 |
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FDH50N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3 | 1629 注文の詳細 |
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SSM6K411TU(TE85L,F | MOSFET N-CH 20V 10A UF6 | 1118 注文の詳細 |
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NTTFS4H05NTAG | MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN | 2375 注文の詳細 |
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DMT6004LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 | 16999 注文の詳細 |
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IXTH52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO247 | 835 注文の詳細 |
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NDF03N60ZG | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP | 5486 注文の詳細 |
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BSC025N08LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 | 5794 注文の詳細 |
在庫あり | 10851 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
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