EPC2012C

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部品番号 EPC2012C
LIXINC Part # EPC2012C
メーカー EPC
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル EPC2012C PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EPC2012C 仕様

部品番号:EPC2012C
ブランド:EPC
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:EPC
シリーズ:eGaN®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:5A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V
(最大) @ id、vgs の rds:100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:1.3 nC @ 5 V
vgs (最大):+6V, -4V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:140 pF @ 100 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):-
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:Die Outline (4-Solder Bar)
パッケージ・ケース:Die

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