参考まで
部品番号 | EPC2012C |
LIXINC Part # | EPC2012C |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2012C PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2012C |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 100mOhm @ 3A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.3 nC @ 5 V |
vgs (最大): | +6V, -4V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 140 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die Outline (4-Solder Bar) |
パッケージ・ケース: | Die |
CSD17309Q3 | MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON | 10454 注文の詳細 |
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SPU03N60S5IN | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2022 注文の詳細 |
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DMP3068L-13 | MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 | 823 注文の詳細 |
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IRFIB6N60APBF | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3 | 1928 注文の詳細 |
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AONS32310 | MOSFET N-CH 30V 60A/400A 8DFN | 3039 注文の詳細 |
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IRL60S216 | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | 1345 注文の詳細 |
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RSE002P03TL | MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3 | 2541 注文の詳細 |
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TSM080N03EPQ56 RLG | MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN | 3479 注文の詳細 |
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BSS84T116 | MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 | 4811 注文の詳細 |
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SPB18P06P | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK | 18368 注文の詳細 |
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SIA110DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK | 5986 注文の詳細 |
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AOTF8N80 | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3F | 865 注文の詳細 |
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IPB65R150CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK | 3391 注文の詳細 |
在庫あり | 30072 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.76000 | $2.76 |
2500 | $1.23474 | $3086.85 |
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