参考まで
| 部品番号 | IPB067N08N3GATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB067N08N3GATMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPB067N08N3GATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
|
| 運送 |  |
| 部品番号: | IPB067N08N3GATMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 6.7mOhm @ 73A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 73µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 56 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3840 pF @ 40 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 136W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
 |
BUK7Y25-40B/C3115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11459 注文の詳細 |
 |
IRFR9010TRPBF | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | 2644 注文の詳細 |
 |
IXTQ30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO3P | 1850 注文の詳細 |
 |
HUF76407D3ST | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 25206 注文の詳細 |
 |
APT17F100S | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | 969 注文の詳細 |
 |
PH6530AL115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 5480 注文の詳細 |
 |
IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB | 918 注文の詳細 |
 |
SISS26DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S | 25152 注文の詳細 |
 |
IRFB3206GPBF | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 1287 注文の詳細 |
 |
PMV37EN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 735905 注文の詳細 |
 |
DMG3415UFY4Q-7 | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | 5719 注文の詳細 |
 |
TSM60N600CI C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB | 912 注文の詳細 |
 |
SIHF12N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 | 1657 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14534 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.41000 | $2.41 |
| 1000 | $1.18298 | $1182.98 |
| 2000 | $1.10139 | $2202.78 |
| 5000 | $1.06060 | $5303 |
Lixinc は最も競争力のある価格を提供します。見積もりを参照してください。
