参考まで
部品番号 | IRFZ44ESPBF |
LIXINC Part # | IRFZ44ESPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFZ44ESPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFZ44ESPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 48A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 23mOhm @ 29A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.36 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 110W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
2SK3800VR | MOSFET N-CH 40V 70A TO220S | 834 注文の詳細 |
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FQI2P25TU | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK | 1880 注文の詳細 |
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IPB65R150CFDATMA2 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 | 861 注文の詳細 |
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IRF443 | MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE | 867 注文の詳細 |
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AUIRL3705Z | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 1579 注文の詳細 |
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AOTF66616L | MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F | 2799 注文の詳細 |
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SSM3K324R,LF | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F | 3887 注文の詳細 |
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NTMFS4936NT3G | MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN | 5879 注文の詳細 |
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RQ5A020ZPTL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 | 4776 注文の詳細 |
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SQ4850EY-T1_BE3 | MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC | 3458 注文の詳細 |
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NVMFS5C612NLAFT3G | MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN | 974 注文の詳細 |
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APT5010JLLU3 | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | 954 注文の詳細 |
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IPDD60R075CFD7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 | 2667 注文の詳細 |
在庫あり | 10981 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.85000 | $0.85 |
650 | $0.85000 | $552.5 |
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