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部品番号 | BSZ0602LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ0602LSATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSZ0602LSATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSZ0602LSATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | OptiMOS™ 5 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13A (Ta), 40A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.3V @ 36µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2340 pF @ 40 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 69W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TSDSON-8-FL |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
DMN10H100SK3-13 | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | 445138457 注文の詳細 |
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TN0104N8-G | MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA | 7646 注文の詳細 |
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FQT13N06LTF | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 | 7850 注文の詳細 |
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SIS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 | 3682 注文の詳細 |
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SQM40020E_GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | 1741 注文の詳細 |
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RZL035P01TR | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 | 3391 注文の詳細 |
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R6076MNZ1C9 | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 | 1299 注文の詳細 |
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FQD6N60CTF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 929 注文の詳細 |
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CSD17575Q3 | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 40913 注文の詳細 |
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STFI6N65K3 | MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP | 964 注文の詳細 |
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STI24N60M6 | MOSFET N-CH 600V I2PAK | 931 注文の詳細 |
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TK560P60Y,RQ | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK | 7666 注文の詳細 |
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FQB2P40TM | MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK | 904 注文の詳細 |
在庫あり | 10919 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.47000 | $1.47 |
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