参考まで
| 部品番号 | BUK9E08-55B,127-NXP |
| LIXINC Part # | BUK9E08-55B,127-NXP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | PFET, 75A I(D), 55V, 0.0093OHM, |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BUK9E08-55B,127-NXP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
|
| 運送 |  |
| 部品番号: | BUK9E08-55B,127-NXP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
STF16N90K5 | MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP | 1076 注文の詳細 |
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FQU10N20LTU | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 4153 注文の詳細 |
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STW50N65DM2AG | MOSFET N-CH 650V 28A TO247 | 1995 注文の詳細 |
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AOT1N60 | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220 | 1464 注文の詳細 |
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IPP60R022S7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 | 1883 注文の詳細 |
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STS4DNFS30 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO | 960 注文の詳細 |
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IPP60R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 | 937 注文の詳細 |
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AON1634 | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | 896 注文の詳細 |
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FDBL9401-F085 | MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF | 4655 注文の詳細 |
 |
FDA032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN | 1265 注文の詳細 |
 |
CSD25211W1015 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 2123 注文の詳細 |
 |
AOD950A70 | MOSFET N-CH 700V 5A TO252 | 3325 注文の詳細 |
 |
RM150N60T2 | MOSFET N-CH 60V 150A TO220-3 | 912 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10859 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.51000 | $0.51 |
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