参考まで
部品番号 | RS1E350GNTB |
LIXINC Part # | RS1E350GNTB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RS1E350GNTB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RS1E350GNTB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Ta), 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.7mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 68 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4060 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-HSOP |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
BUK9Y8R7-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56 | 918 注文の詳細 |
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APT30M70BVFRG | MOSFET N-CH 300V 48A TO247 | 843 注文の詳細 |
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BUK961R6-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 5038 注文の詳細 |
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DMTH6004LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 | 4951 注文の詳細 |
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FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC | 7620 注文の詳細 |
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IPU60R2K1CEBKMA1 | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3 | 1472841 注文の詳細 |
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NTE2387 | MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220 | 1133 注文の詳細 |
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DMPH4023SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R | 10930 注文の詳細 |
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SIR818DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | 2087 注文の詳細 |
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AOTF190A60L | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | 1568 注文の詳細 |
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NTMFS4925NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN | 949 注文の詳細 |
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STP57N65M5 | MOSFET N-CH 650V 42A TO220 | 3415 注文の詳細 |
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STB38N65M5 | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK | 1409 注文の詳細 |
在庫あり | 12925 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.44000 | $2.44 |
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