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| 部品番号 | SPD07N60C2 |
| LIXINC Part # | SPD07N60C2 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SPD07N60C2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 11 - Oct 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SPD07N60C2 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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STB6NK90ZT4 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK | 873 注文の詳細 |
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FDMS86581-F085 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 12526 注文の詳細 |
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HUF76633P3-F085 | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 2151 注文の詳細 |
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SIA468DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70 | 5660 注文の詳細 |
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STP15N80K5 | MOSFET N-CH 800V 14A TO220 | 1758 注文の詳細 |
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STP3NK80Z | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB | 1025 注文の詳細 |
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FQI7P06TU | MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK | 3016 注文の詳細 |
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IRL2910PBF | MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB | 944 注文の詳細 |
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DMN2011UTS-13 | MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP | 2862 注文の詳細 |
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SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A TO263 | 5291 注文の詳細 |
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STP31N65M5 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 2238 注文の詳細 |
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IXTP1R4N100P | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 949 注文の詳細 |
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RM80N20DN | MOSFET N-CHANNEL 20V 80A 8PPAK | 922 注文の詳細 |
| 在庫あり | 17192 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.45000 | $0.45 |
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