参考まで
部品番号 | FQNL1N50BBU |
LIXINC Part # | FQNL1N50BBU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQNL1N50BBU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQNL1N50BBU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 500 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 270mA (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9Ohm @ 135mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.7V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 150 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-92-3 |
パッケージ・ケース: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
DMT10H009LFG-7 | MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI | 805 注文の詳細 |
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5HP01M-TL-E-FS | MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 | 45906 注文の詳細 |
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IRF9520 | MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB | 15240 注文の詳細 |
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NVMYS021N06CLTWG | MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK | 25129944 注文の詳細 |
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SCT3060ARC14 | SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L | 965 注文の詳細 |
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FDW264P | MOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP | 2338 注文の詳細 |
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2SK1968-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1071 注文の詳細 |
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ZXMN3A03E6TA | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | 44335 注文の詳細 |
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IRFP360PBF | MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 | 1694 注文の詳細 |
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BSS84AKM,315 | MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 | 941 注文の詳細 |
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NTB082N65S3F | MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK | 11799783 注文の詳細 |
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NTLJS2103PTBG | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN | 3354 注文の詳細 |
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RM140N150T2 | MOSFET N-CH 150V 140A TO220-3 | 843 注文の詳細 |
在庫あり | 14409 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.19000 | $0.19 |
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