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| 部品番号 | RM3400 |
| LIXINC Part # | RM3400 |
| メーカー | Rectron USA |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RM3400 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 24 - Sep 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RM3400 |
| ブランド: | Rectron USA |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rectron USA |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.8A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 41mOhm @ 5.8A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±12V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 820 pF @ 15 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 1.4W (Ta) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-23 |
| パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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BSZ028N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON | 10033 注文の詳細 |
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AUIRFU8405 | MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK | 7035 注文の詳細 |
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DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | 935 注文の詳細 |
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STD18NF25 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 949 注文の詳細 |
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IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA | 494153 注文の詳細 |
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IPA90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 | 990 注文の詳細 |
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NVTFWS003N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN | 6967 注文の詳細 |
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SQJ412EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | 12472 注文の詳細 |
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BSS606NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | 5584 注文の詳細 |
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FDMA86251 | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET | 2147484603 注文の詳細 |
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IRFH8337TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN | 800 注文の詳細 |
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IPA60R060C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 | 993 注文の詳細 |
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SISHA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK | 831 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10930 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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