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部品番号 | TK100E06N1,S1X |
LIXINC Part # | TK100E06N1,S1X |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TK100E06N1,S1X PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | TK100E06N1,S1X |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | U-MOSVIII-H |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 140 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 10500 pF @ 30 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 255W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
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STH315N10F7-2 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | 902 注文の詳細 |
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STWA48N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 40A TO247 | 1179 注文の詳細 |
在庫あり | 10827 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.62000 | $2.62 |
50 | $2.11172 | $105.586 |
100 | $1.90055 | $190.055 |
500 | $1.47820 | $739.1 |
1000 | $1.22480 | $1224.8 |
2500 | $1.18257 | $2956.425 |
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