参考まで
部品番号 | ES6U1T2R |
LIXINC Part # | ES6U1T2R |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ES6U1T2R PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | ES6U1T2R |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Last Time Buy |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 2.4 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 290 pF @ 6 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力 (最大): | 700mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WEMT |
パッケージ・ケース: | SOT-563, SOT-666 |
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IRFP460APBF | MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 | 1487 注文の詳細 |
在庫あり | 11276 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.44000 | $0.44 |
8000 | $0.13650 | $1092 |
16000 | $0.13180 | $2108.8 |
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